Параметры большого сигнала СВЧ генераторного транзистора как четырехполюсника: Ниже рассмотрена одна из приближенных математических моделей СВЧ генераторного транзистора, при составлении которой использованы кусочно-линейная аппроксимация характеристик активного прибора и метод гармонического анализа.
Применение метода гармонического анализа позволяет представить транзистор на основной и высших гармониках в виде четырехполюсника, характеризуемого параметрами большого сигнала, а следовательно, и провести анализ частотных характеристик энергетических параметров активной антенны с помощью известных методов анализа линейных электрических цепей. Элементы ЭСТ по степени зависимости их параметров от режима работы можно разбить на две группы: параметры, слабозависящие (или вовсе независящие) от режима и параметры с сильной зависимостью.
К "первой группе относятся индуктивности вводов, межэлектродные емкости и сопротивления, ко второй - крутизна перехода, статический коэффициент усиления, граничная частота и динамическая емкости эмиттера, емкость коллектора и сопротивление рекомбинации. Данное обстоятельство позволяет выделить линейную и нелинейную части ЭСТ. Основным упрощающим предположением, принятым при расчете У-параметров, является пренебрежение падением напряжения, создаваемого токами высших гармоник на индуктивности эмиттера.
Оценка точности расчетов параметров транзисторов. Идентификация параметров элементов эквивалентной схемы. При проектировании устройств на ЭВМ возникает необходимость в использовании достаточно точных и быстродействующих алгоритмов анализа.
Дадим оценку возможности применения методики для расчета частотных и амплитудных характеристик УМ путем сравнения экспериментальных и теоретических результатов. Описанная последовательность вычислений была записана в виде программы на языке ФОРТРАН и применена для расчетов параметров УМ, реализуемых "на транзисторах КТ904А, КТ911Б и КТ919Б в режимах непрерывной генерации и импульсной модуляции при длительности импульса =1,5 мкс и скважности 9 = 200.
Для более полного выяснения границ применимости предлагаемой методики расчета авторами были проведены экспериментальные исследования параметров партии из двенадцати транзисторов типа КТЭПБ как в режиме непрерывной генерации, так и в режиме импульсной модуляции.
