Экспериментальные исследования транзисторов КТ911Б проводились при напряжениях Ек = 27 В и £о = 0. По результатам измерений партии транзисторов вычислялись среднестатические значения и доверительные интервалы их параметров.

Рассмотрим результаты измерений, полученные при непрерывной генерации сигнала. На частоте 1 ГГц значения параметров транзистора практически полностью совпадают, что указывает на достоверность полученных экспериментальных результатов.

Совместно с экспериментальными данными нанесены результаты расчетов. Качественное совпадение расчетных и экспериментальных кривых почти полное. Экспериментальные частотные зависимости полного входного сопротивления отличаются от расчетных в большей степени. Наихудшее совпадение получено, как и при предыдущих вычислениях, для КПД.

Расчетные и экспериментальные зависимости подобны, однако расчетные значения в 2,5-3 раза больше экспериментальных. Существенное различие в значениях КПД обусловлено принятыми допущениями и прежде всего тем, что при расчетах не учитывалась структура цепей нагрузки и возбуждения. Рассмотрим особенности режима импульсной модуляции.

Сравнивая энергетические параметры транзистора в режимах импульсной модуляции и непрерывной генерации, легко заметить, что импульсный режим имеет ряд преимуществ. Например, при 200 ти = 1,5 мкс можно получить мощность, в 2 раза большую, чем в непрерывном, кроме того, в отличие от режима непрерывной генерации, реактивная составляющая сопротивления нагрузки при индуктивном характере увеличивается с ростом частоты, что лучше согласуется с ходом частотной характеристики полного входного сопротивления излучателя.

В режиме импульсной модуляции транзистор работает -с большими уровнями мощности, чем в режиме непрерывной генерации, при этом его амплитудные характеристики существенно нелинейны. Аналогичные теоретические зависимости, рассчитанные по описанной методике с учетом токовой нелинейности, хорошо совпадают с экспериментальными.